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美光下一代 HBM4 内存计划 2026 年大规模生产
近日，美光发布了其 HBM4 和 HBM4E 项目的最新进展：具体来看，下一代 HBM4 内存采用 2048 位接口，计划在 2026 年开始大规模生产，而 HBM4E 将会在后续几年推出。
HBM4E 不仅会提供比 HBM4 更高的数据传输速度，还可根据需求定制基础芯片，这一变化有望推动整个行业的发展。定制的逻辑芯片将由台积电使用先进工艺制造，能够集成更多的缓存和逻辑电路，从而提升内存的性能和功能。
美光总裁兼 CEO Sanjay Mehrotra 表示：“HBM4E 的推出将改变存储行业，它将提供定制逻辑基础芯片的选项，借助台积电先进的工艺，美光将能够为特定客户提供定制化解决方案。这项创新将推动美光财务表现的提升。”