ESD/Latch-up保护电路设计：获取详细信息>>

 

　　 ESD /电性栓锁测试服务之外，平台同时提供ESD I/O库、ESD/电性栓锁电路设计咨询、以及客户电路布局的详细分析，由此协助客户的芯片或产品达到最佳的ESD/电性栓锁防护能力。

 

人体放电模式Human Body Model：

 

　　 人体放电模式(HBM)是指因人体在地面走路、衣物磨擦，或其它因素，以致在人体上累积了相当数量的静电荷，当人体碰触到IC时，静电便会经由IC的脚位而进入IC内，再经由IC放电到接地端(ground)，如图1所示。 此放电事件会在几百毫微秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流容易毁损IC内的组件。

 

传输线脉冲(Transmission Line Pulse, TLP)：

 

　　 通过电压/电流曲线分析，深入了解静电放电防护组件(ESD Protection Device)之物理特性。

　　 在芯片制作完成之初，即能先预测产品之静电放电的承受能力，以增加产品的研发效率。

　　 重视HBM ESD pulse所造成的IC失效模式及电性行为。

 

Latch-up测试：

 

　　 电性栓锁测试用来评价CMOS ICs对噪声或者瞬时的免疫程度 (Immunity of transient induced due to external noise or internal under/over-shoot)。栓锁效应是一种在CMOS、Bipolar或BiCMOS里p-n-p-n 4 层SCR架构的寄生电路(Parasitic circuit)n所造成的影响。